- Код статьи
- S0370274X25020116-1
- DOI
- 10.31857/S0370274X25020116
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 121 / Номер выпуска 3-4
- Страницы
- 235-239
- Аннотация
- Исследована проводимость пленок номинально нелегированного монокристаллического алмаза, эпитаксиально выращенного методом газофазного химического осаждения (CVD) на сильно легированной бором алмазной p+-подложке. Проводимость пленок определяется акцепторной примесью бора. Температурная зависимость проводимости в интервале температур 300–500 К подчиняется активационному закону, однако энергия активации значительно превышает энергию ионизации акцепторов бора εi = 0.37 эВ. Обнаружено, что акцепторы сильно компенсированы. Это приводит к возникновению случайного потенциала большой амплитуды γ ≈ 0.2 эВ, из-за чего энергия активации сильно возрастает до величины ∼εi+γ. Причина возникновения большого случайного потенциала связывается с самокомпенсацией примесей бора атомами азота в процессе CVD роста алмазных пленок на сильно легированной подложке.
- Ключевые слова
- Дата публикации
- 16.09.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 15
Библиография
- 1. R. Kalish, J. Phys. D: Appl. Phys. 40, 6467 (2007).
- 2. Н. Б. Родионов, А. Ф. Паль, А. П. Большаков, В. Г. Ральченко, Р. А. Хмельницкий, В. А. Дравин, С. А. Малыхин, И. В. Алтухов, М. С. Каган, С. К. Папроцкий, Радиотехника и электроника 63, 750 (2018).
- 3. И. В. Алтухов, М. С. Каган, С. К. Папроцкий, Н. А. Хвальковский, Н. Б. Родионов, А. П. Большаков, В. Г. Ральченко, Р. А. Хмельницкий, Радиотехника и электроника 65, 1128 (2020).
- 4. I. V. Altukhov, M. S. Kagan, S. K. Paprotskiy, N. A. Khvalkovskiy, N. B. Rodionov, A. P. Bol’shakov, V. G. Ral’chenko, and R. A. Khmel’nitskiy, Low Temp. Phys. 47, 83 (2021).
- 5. J. Frenkel, Phys. Rev. 54, 647 (1938).
- 6. L. Reggiani, S. Bosi, C. Canali, F. Nava, and S. F. Kozlov, Phys. Rev. B 23, 3050 (1981).
- 7. M. Gabrysch, S. Majdi, D. J. Twitchen, and J. Isberg, J. Appl. Phys. 109, 063719 (2011).
- 8. J. Barjon, N. Habka, C. Mer, F. Jomard, J. Chevallier, and P. Bergonzo, Phys. Status Solidi RRL 3, 202 (2009).
- 9. J. Isberg, J. Hammersberg, E. Johansson, Т. Wikstrom, D. J. Twitchen, A. J. Whitehead, S. E. Coe, G. A. Scarsbrook, Science 297, 1670 (2002).
- 10. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос, ЖЭТФ 60, 867 (1971).
- 11. Б. И. Шкловский, А. Л. Эфрос, Электронные свойства легированных полупроводников, Наука, М. (1979), §27.
- 12. Power Electronics Device Applications of Diamond Semiconductors, ed. by S. Koizumi, H. Umezawa, J. Pernot, and M. Suzuki, Woodhead Publishing, Cambridge (2018), p. 33.
- 13. M. Frenklach and S. Skokov, J. Phys. Chem. B 101, 3025 (1997).
- 14. P.W. May, N.L. Allan, M.N.R. Ashfold, J.C. Richley, and Yu. A. Mankelevich, J. Phys.: Condens. Matter 21, 364203 (2009).
- 15. M.N.R. Ashfold, J.P. Goss, B.L. Green, P.W. May, M. E. Newton, and C. V. Peaker, Chem. Rev. 12, 5745 (2020).
- 16. Р. А. Хмельницкий, Н. Б. Родионов, А. Г. Трапезников, В. П. Ярцев, В. П. Родионов, А. Н. Кириченко, А. В. Красильников, УФН 195, 3 (2024).
- 17. S. Kunuku, M. Ficek, A. Wieloszynska, M. Tamulewicz-Szwajkowska, K. Gajewski, M. Sawczak, A. Lewkowicz, J. Ryl, T. Gotszalk, and R. Bogdanowicz, Nanotechnology 33, 125603 (2022).
