- Код статьи
- S0370274X25020083-1
- DOI
- 10.31857/S0370274X25020083
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 121 / Номер выпуска 3-4
- Страницы
- 223-225
- Аннотация
- Методом электронного парамагнитного резонанса проведено первичное исследование структурного центра, образованного в синтетическом алмазе типа Ib после облучения электронами 3 МэВ и отжига 1200 ◦С/30 мин. Условия образования и полученные характеристики сближают его с группой парамагнитных центров R5–R12, однако в отличие от них исследованный центр более высокосимметричен: при таком же спине S = 1 он обладает практически изотропными (в пределах точности эксперимента и моделирования) g-фактором g = 2.018(2), значительной величиной расщепления в нулевом поле D = 2886(9) МГц, а также симметрией (C3v). Исследованный центр можно считать ярким примером тенденции к повышению локальной симметрии структурных центров в алмазе при увеличении энергии порождающего их облучения и, в особенности, температуры последующего отжига.
- Ключевые слова
- Дата публикации
- 16.09.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 15
Библиография
- 1. J. H. N. Loubster and J. A. Wyk, Rep. Prog. Phys. 41, 1201 (1978).
- 2. D. J. Twitchen, M. E. Newton, J. M. Baker, and O. D. Tucker, Phys. Rev. B 54(10), 6988 (1996).
- 3. O. Madelung, U. Rossler, and M. Schulz, Semiconductors: Impurities and Defects in Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds - Group IV Elements, Springer Berlin, Heidelberg (2002).
- 4. G. Davies (editor), Properties and Growth of Diamond, The Institution of Electrical Engineers, London (1994).
- 5. Р. А. Бабунц, Д. Д. Крамущенко, А. С. Гурин, А. П. Бундакова, М. В. Музафарова, А. Г. Бадалян, Н. Г. Романов, П. Г. Баранов, ФТТ 62(11), 1807 (2020).
- 6. D. A. Redman, S. Brown, R. H. Sands, and S. C. Rand, Phys. Rev. Lett. 67, 3420 (1991).
