RAS PhysicsПисьма в Журнал экспериментальной и теоретической физики JETP Letters (Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters)

  • ISSN (Print) 0370-274X
  • ISSN (Online) 3034-5766

Amorfizatsiya kremniya pod vozdeystviem ul'trakorotkikh lazernykh impul'sov srednego IK diapazona

PII
S0370274X25050058-1
DOI
10.31857/S0370274X25050058
Publication type
Article
Status
Published
Authors
Volume/ Edition
Volume 121 / Issue number 9-10
Pages
737-741
Abstract
Проведено экспериментальное исследование процесса аморфизации поверхности пластины кристаллического кремния Si(111) толщиной 380 мкм под воздействием ультракоротких лазерных импульсов (длительность – 150 фс) среднего инфракрасного диапазона (4.0–5.4 мкм) с варьируемой плотностью энергии и экспозицией. Для данного спектрального диапазона были измерены пороговые значения поверхностной плотности энергии для аморфизации кремния. Была установлена зависимость объемной доли и толщины аморфной фазы материала от поверхностной плотности энергии и количества импульсов лазерного излучения для длины волны 5000 нм.
Keywords
Date of publication
16.09.2025
Year of publication
2025
Number of purchasers
0
Views
16

References

  1. 1. D. A. Belforte, PhotonicsViews 17, 35 (2020).
  2. 2. D. B¨auerle, Laser Processing and Chemistry, Springer, Berlin, Heidelberg (2011).
  3. 3. А.А. Ионин, С. И. Кудряшов, Л. В. Селезнев, Д. В. Синицын, А. Ф. Бункин, В. Н. Леднев, С.М. Першин, ЖЭТФ 143, 403 (2013).
  4. 4. J. Bonse, H. Sturm, D. Schmidt, and W. Kautek, Appl. Phys. A 71, 657 (2000).
  5. 5. R. Yen, J. M. Liu, H. Kurz, and N. Bloembergen, Appl. Phys. A 27, 153 (1982).
  6. 6. J. Bonse, S. Baudach, J. Kruger, W. Kautek, and M. Lenzner, Appl. Phys. A 74, 19 (2002).
  7. 7. J. Siegel, A. Schropp, J. Solis, C. N. Afonso, and M. Wuttig, Appl. Phys. Lett. 84, 2250 (2004).
  8. 8. M. Wuttig and N. Yamada, Nature Mater 6, 824 (2007).
  9. 9. F. Priolo, T. Gregorkiewicz, M. Galli, and T. F. Krauss, Nature Nanotech. 9, 19 (2014).
  10. 10. M. Notomi, Rep. Prog. Phys. 73, 096501 (2010).
  11. 11. Y. Siegal, E. N. Glezer, L. Huang, and E. Mazur, Annu. Rev. Mater. Res. 25, 223 (1995).
  12. 12. A. Rousse, C. Rischel, S. Fourmaux, I. Uschmann, S. Sebban, G. Grillon, P. Balcou, E. Forster, J. P. Geindre, P. Audebert, J. C. Gauthier, and D. Hulin, Nature 410, 65 (2001).
  13. 13. J. Bonse, S. M. Wiggins, and J. Solis, Appl. Phys. A 80, 243 (2005).
  14. 14. T. Zier, E. S. Zijlstra, and M. E. Garcia, Appl. Phys. A 117, 1 (2014).
  15. 15. P. Stampfli and K. H. Bennemann, Phys. Rev. B 42, 7163 (1990).
  16. 16. K. Sokolowski-Tinten and D. von der Linde, Phys. Rev. B 61, 2643 (2000).
  17. 17. J. Bonse, A. Rosenfeld, and J. Kruger, Applied Surface Science 257, 5420 (2011).
  18. 18. P. Lorazo, L. J. Lewis, and M. Meunier, Phys. Rev. B 73, 134108 (2006).
  19. 19. M. V. Shugaev, M. He, Y. Levy, A. Mazzi, A. Miotello, N. M. Bulgakova, and L. V. Zhigilei, in Handbook of Laser Microand Nano-Engineering, ed. by K. Sugioka, Springer International Publishing, Cham (2020), p. 1.
  20. 20. A. G. Cullis, N. G. Chew, H. C. Webber, and D. J. Smith, J. Cryst. Growth 68, 624 (1984).
  21. 21. Е. И. Штырков, И. Б. Хайбуллин, М. М. Зарипов, М. Ф. Галятудинов, Р. М. Баязитов, Физика и техника полупроводников 9, 2000 (1975).
  22. 22. A. L. Robinson, Science 226, 329 (1984).
  23. 23. M. O. Thompson, G. J. Galvin, J. W. Mayer, P. S. Peercy, J. M. Poate, D. C. Jacobson, A. G. Cullis, and N. G. Chew, Phys. Rev. Lett. 52, 2360 (1984).
  24. 24. M. Garcia-Lechuga, N. Casquero, J. Siegel, J. Solis, R. Clady, A. Wang, O. Ut´eza, and D. Grojo, Laser Photonics Rev. 18, 2301327 (2024).
  25. 25. S. Adachi, Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors, Springer US, Boston, MA (1999).
  26. 26. M. Garcia-Lechuga, N. Casquero, A. Wang, D. Grojo, and J. Siegel, Adv. Opt. Mater. 9, 2100400 (2021).
  27. 27. J. Bonse, Appl. Phys. A 84, 63 (2006).
  28. 28. C. Florian, D. Fischer, K. Freiberg, M. Duwe, M. Sahre, S. Schneider, A. Hertwig, J. Kruger, M. Rettenmayr, U. Beck, A. Undisz, and J. Bonse, Materials 14, 1651 (2021).
  29. 29. M. Garcia-Lechuga and D. Grojo, Open Res. Eur. 1, 7 (2021).
  30. 30. S. I. Kudryashov, T. Pflug, N. I. Busleev, M. Olbrich, A. Horn, M. S. Kovalev, and N. G. Stsepuro, Opt. Mater. Express 11, 1 (2021).
  31. 31. R. Tsu, J. Gonzalez-Hernandez, S. S. Chao, S. C. Lee, and K. Tanaka, Appl. Phys. Lett. 40, 534 (1982).
  32. 32. D. M. Zhigunov, G. N. Kamaev, P. K. Kashkarov, and V. A. Volodin, Appl. Phys. Lett. 113, 023101 (2018).
  33. 33. I. D. Wolf, Semicond. Sci. Technol. 11, 139 (1996).
  34. 34. C. Smit, R. A. C. M. M. van Swaaij, H. Donker, A. M. H. N. Petit, W. M. M. Kessels, and M. C. M. van de Sanden, J. Appl. Phys. 94, 3582 (2003).
QR
Translate

Индексирование

Scopus

Scopus

Scopus

Crossref

Scopus

Higher Attestation Commission

At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation

Scopus

Scientific Electronic Library