- PII
- S0370274X25020037-1
- DOI
- 10.31857/S0370274X25020037
- Publication type
- Article
- Status
- Published
- Authors
- Volume/ Edition
- Volume 121 / Issue number 3-4
- Pages
- 189-193
- Abstract
- В работе реализован источник однофотонного излучения для телекоммуникационного С-диапазона на основе эпитаксиальных квантовых точек InAs/InGaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Использование высококонтрастных распределенных брэгговских отражателей AlGaAs/GaAs и плазмохимического травления позволило изготовить микрорезонаторные структуры, расчетная эффективность вывода излучения из которых в числовую апертуру 0.7 составила 15 %. Измеренное значение корреляционной функции второго порядка g(2) (0) составило 0.14 при средней интенсивности однофотонного излучения на первой линзе порядка 1 МГц. Полученные результаты свидетельствуют о возможности использования исследуемого источника однофотонного излучения в системах квантовой криптографии.
- Keywords
- Date of publication
- 16.09.2025
- Year of publication
- 2025
- Number of purchasers
- 0
- Views
- 16
References
- 1. T. Heindel, J. Kim, N. Gregersen, A. Rastelli, and S. Reitzenstein, Adv. Opt. Photonics 15, 613 (2023).
- 2. M. Zahidy, M. T. Mikkelsen, R. Muller, B. De Lio, M. Krehbiel, Y. Wang, N. Bart, A. D. Wieck, A. Ludwig, M. Galili, S. Forchhammer, P. Lodahl, L. K. Oxenl0we, D. Bacco, and L. Midolo, npj Quantum Inf. 10, 2 (2024).
- 3. D. A. Vajner, L. Rickert, T. Gao, K. Kaymazlar, and T. Heindel, Adv. Quantum Technol. 5, 2100116 (2022).
- 4. E. Chae, J. Choi, and J. Kim, Nano Converg. 11, 11 (2024).
- 5. M. Benyoucef, M. Yacob, J. P. Reithmaier, J. Kettler, and P. Michler, Appl. Phys. Lett. 103, 162101 (2013).
- 6. O. Fedorych, C. Kruse, A. Ruban, D. Hommel, G. Bacher, and T. Kümmell, Appl. Phys. Lett. 100, 61114 (2012).
- 7. R. Li, L. Tang, Q. Zhao, K. S. Teng, and S. P. Lau, Chem. Phys. Lett. 742, 137127 (2020).
- 8. C. Santori, S. Güotzinger, Y. Yamamoto, S. Kako, K. Hoshino, and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 87, 051916 (2005).
- 9. M. Zimmer, A. Trachtmann, M. Jetter, and P. Michler, J. Cryst. Growth 605, 127081 (2023).
- 10. Y. Yu, S. Liu, CM. Lee, P. Michler, S. Reitzenstein, K. Srinivasan, E. Waks, and J. Liu, Nat. Nanotechnol. 18, 1389 (2023).
- 11. R. P. Leavitt and C. J. K. Richardson, J. Vac. Sci. Technol. B, 33, 051202 (2015).
- 12. P. Holewa, D.A. Vajner, E. Zieba-OstOj et al. (Collaboration), Nat. Commun. 15, 3358 (2024).
- 13. M. Paul, F. Olbrich, J. Hüoschele, S. Schreier, J. Kettler, S. L. Portalupi, M. Jetter, and P. Michler, Appl. Phys. Lett. 111, 033102 (2017).
- 14. P. Wyborski, P. Podemski, P. A. Wroński, F. Jabeen, S. Höfling, and G. Sek, Materials (Basel) 15, 1071 (2022).
- 15. P. Wyborski, M. Gawelczyk, P. Podemski, P. A. Wronski, M. Pawlyta, S. Gorantla, F. Jabeen, S. Hofling, and G. Sek, Phys. Rev. Appl. 20, 044009 (2023).
- 16. P. A. Wroński, P. Wyborski, A. Musial, P. Podemski, G. Sek, S. Hofling, and F. Jabeen, Materials (Basel) 14, 5221 (2021).
- 17. T. Smolka, K. Posmyk, M. Wasiluk, P. Wyborski, M. Gawelczyk, P. Mrowi’nski, M. Mikulicz, A. Zieli’nska, J. P. Reithmaier, A. Musial, and M. Benyoucef, Materials (Basel) 14, 6270 (2021).
- 18. H. Wang, Y. M. He, T. H. Chung et al. (Collaboration), Nat. Photonics 13, 770 (2019).
- 19. S. V. Sorokin, G. V. Klimko, I. V. Sedova, A. I. Galimov, Yu. V. Serov, D. A. Kirilenko, N. D. Prasolov, and A. A. Toropov, JETP Lett. 120, 694 (2024).
- 20. A. Galimov, M. Bobrov, M. Rakhlin, Yu. Serov, D. Kazanov, A. Veretennikov, G. Klimko, S. Sorokin, I. Sedova, N. Maleev, Yu. Zadiranov, M. Kulagina, Yu. Guseva, D. Berezina, E. Nikitina, and A. Toropov, Nanomaterials 13, 1572 (2023).
- 21. M. A. Bobrov, S. A. Blokhin, N. A. Maleev, A. G. Kuz’menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil’ev, Yu. A. Guseva, M. V. Rakhlin, A. I. Galimov, Yu. M. Serov, S. I. Troshkov, V. M. Ustinov, and A. A. Toropov, JETP Lett. 116, 613 (2022).
- 22. J. S. Tsang, C. P. Lee, S. H. Lee, K. L. Tsai, C. M. Tsai, and J. C. Fan, J. Appl. Phys. 79, 664 (1996).
- 23. P. A. Dalgarno, J. McFarlane, D. Brunner, R. W. Lambert, B. D. Gerardot, R. J. Warburton, K. Karrai, A. Badolato, and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 92, 90 (2008).
- 24. P. Holewa, A. Sakanas, U. M. Guür, P. Mrowinński, A. Huck, B. Y. Wang, A. Musial, K. Yvind, N. Gregersen, M. Syperek, and E. Semenova, ACS Photonics 9, 2273 (2022).
- 25. E. Peter, S. Laurent, J. Bloch, J. Hours, S. Varoutsis, I. Robert-Philip, A. Beveratos, A. Lemaître, A. Cavanna, G. Patriarche, P. Senellart, and D. Martrou, Appl. Phys. Lett. 90, 223118 (2007).
- 26. S. Fischbach, A. Schlehahn, A. Thoma, N. Srocka, N. Gissibl, N. Ristok, S. Thiele, A. Kaganskiy, A. Strittmatter, T. Heindel, S. Rodt, A. Herkommer, H. Giessen, and S. Reitzenstein, ACS Photonics 4, 1327 (2017).
- 27. W. Zhan, S. Ishida, J. Kwoen, K. Watanabe, S. Iwamoto, and Y. Arakawa, Phys. Status Solidi Basic Res. 257, 1900392 (2020).
- 28. S. Golovynskyi, O. I. Datsenko, L. Seravalli, S. V. Kondratenko, G. Trevisi, P. Frigeri, B. Li, and J. Qu, Semicond. Sci. Technol. 35, 095022 (2022).
- 29. H. S. Chang, W. Y. Chen, T. M. Hsu, T. P. Hsieh, J. I. Chyi, And W. H. Chang, Appl. Phys. Lett. 94, 2007 (2009).
