- Код статьи
- S0370274X25010068-1
- DOI
- 10.31857/S0370274X25010068
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 121 / Номер выпуска 1-2
- Страницы
- 37-43
- Аннотация
- В работе приведены результаты исследований по выращиванию методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур с квантовыми точками InAs/InGaAs и метаморфными буферными слоями (МБС) InxGa1−xAs/GaAs(001), предназначенных для получения однофотонной генерации в телекоммуникационном С-диапазоне длин волн. Проанализирована возможность уменьшения толщины градиентного слоя InxGa1−xAs с целью формирования эффективных микрорезонаторных структур с толщиной резонаторной полости вплоть до двух длин волн. Приведены данные характеризации методами просвечивающей электронной микроскопии в геометрии поперечного сечения и спектроскопии фотолюминесценции структур с метаморфными буферными слоями, выращенных на поверхности распределенного брэгговского отражателя Al0.9Ga0.1As/GaAs.
- Ключевые слова
- Дата публикации
- 16.09.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 19
Библиография
- 1. T. Mu¨ller, J. Skiba-Szymanska, A. B. Krysa, J. Huwer, M. Felle, M. Anderson, R. M. Stevenson, J. Heffernan, D. A. Ritchie, and A. J. Shields, Nat. Commun. 9, 862 (2018); https://doi.org/10.1038/s41467-018-03251-7.
- 2. D. A. Vajner, P. Holewa, E. Zieba-Ost´oj, M. Wasiluk, M. von Helversen, A. Sakanas, A. Huck, K. Yvind, N. Gregersen, A. Musial, M. Syperek, E. Semenova, and T. Heindel, ACS Photonics 11(2), 339 (2024); https://doi.org/10.1021/acsphotonics.3c00973.
- 3. P. Holewa, D. A. Vajner, E. Zieba-Ost´oj, M. Wasiluk, B. Ga´al, A. Sakanas, M. Burakowski, P. Mrowin´ski, B. Krajnik, M. Xiong, K. Yvind, N. Gregersen, A. Musial, A. Huck, T. Heindel, M. Syperek, and E. Semenova, Nat. Commun. 15, 3358 (2024); https://doi.org/10.1038/s41467-024-47551-7.
- 4. M. Yacob, J. P. Reithmaier, and M. Benyoucef, Appl. Phys. Lett. 104(2), 022113 (2014); https://doi.org/10.1063/1.4861940.
- 5. J. Kaupp, Y. Reum, F. Kohr, J. Michl, Q. Buchinger, A. Wolf, G. Peniakov, T. Huber-Loyola, A. Pfenning, and S. H¨ofling, Adv. Quantum Technol. 6, 2300242 (2023); https://doi.org/10.1002/qute.202300242.
- 6. M. Paul, F. Olbrich, J. Hoschele, S. Schreier, J. Kettler, S. L. Portalupi, M. Jetter, and P. Michler, Appl. Phys. Lett. 111(3), 033102 (2017); https://doi.org/10.1063/1.4993935.
- 7. P. Wyborski, M. Gawelczyk, P. Podemski, P. A. Wron´ski, M. Pawlyta, S. Gorantla, F. Jabeen, S. H¨ofling, and G. Sek, Phys. Rev. Appl. 20, 044009 (2023); https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.20.044009.
- 8. R. Sittig, C. Nawrath, S. Kolatschek, S. Bauer, R. Schaber, J. Huang, P. Vijayan, P. Pruy, S. L. Por-talupi, M. Jetter, and P. Michler, Nanophotonics 11(6), 1109 (2022); https://doi.org/10.1515/nanoph-2021-0552.
- 9. С. В. Сорокин, Г. В. Климко, И. В. Седова, А. И. Галимов, Ю. В. Серов, Д. А. Кириленко, Н. Д. Прасолов, А. А. Торопов, Письма в ЖЭТФ 120(9), 694 (2024); DOI: 10.31857/S0370274X24110072.
- 10. E. M. Purcell, Phys. Rev. 69, 681 (1946).
- 11. D. J. Dunstan, R. H. Dixon, P. Kidd, L. K. Howard, V. A. Wilkinson, J. D. Lambkin, C. Jeynes, M. P. Halsall, D. Lancefield, M. T. Emeny, P. J. Goodhew, K. P. Homewood, B. J. Sealy, and A. R. Adams, J. Cryst. Growth 26, 589 (1993); https://doi.org/10.1016/0022-0248 (93)90808-A.
- 12. A. M. Ceschin and J. Massies, J. Cryst. Growth 114(4), 693 (1991); https://doi.org/10.1016/0022-0248 (91)90418-5.
- 13. V. A. Solov’ev, M. Yu. Chernov, M. V. Baidakova, D. A. Kirilenko, M. A. Yagovkina, A. A. Sitnikova, T. A. Komissarova, P. S. Kop’ev, and S. V. Ivanov, Superlat. & Microstr. 113, 777 (2017). https://doi.org/10.1016/j.spmi.2017.12.018
- 14. S. V. Sorokin, G. V. Klimko, I. V. Sedova, A. A. Sitnikova, D. A. Kirilenko, M. V. Baidakova, M. A. Yagovkina, T. A. Komissarova, K. G. Belyaev, and S. V. Ivanov, J. Cryst. Growth 455, 83?89 (2016); https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.09.071.
- 15. B. A. Joyce, J. L. Sudijono, J. G. Belk, H. Yamaguchi, X. M. Zhang, H. T. Dobbs, A. Zangwill, D. D. Vvedensky, and T. S. Jones, Jpn. J. Appl. Phys. 36, 4111 (1997); https://doi.org/10.1143/jjap.36.4111.
- 16. J.S. Tsang, C.P. Lee, S.H. Lee, K.L. Tsai, C.M. Tsai, and J. C. Fan, J. Appl. Phys. 79(2), 664 (1996); https://doi.org/10.1063/1.360810.
- 17. B. Scaparra, E. Sirotti, A. Ajay, B. Jonas, B. Costa, H. Riedl, P. Avdienko, I. D. Sharp, G. Koblmueller, E. Zallo, J. J. Finley, and K. Mueller, ACS Applied Nano Materials 7(23), 26297 (2024); https://doi.org/10.1021/acsanm.4c04810.
- 18. T. J. Kim, T. H. Ghong, Y. D. Kim, S. J. Kim, D. E. Aspnes, T. Mori, T. Yao, and B. H. Koo, Phys. Rev. B 68, 115323 (2003); https://doi.org/10.1103/PhysRevB.68.115323.
- 19. Z. Hang, D. Yan, Fred H. Pollak, G. D. Pettit, and J. M. Woodall, Phys. Rev. B 44, 10546 (1991); https://doi.org/10.1103/PhysRevB.44.10546.
- 20. D. K. Gaskill, N. Bottka, L. Aina, and M. Mattingly, Appl. Phys. Lett. 56, 1269 (1990); https://doi.org/10.1063/1.102533.
