Мы измеряем транспорт и шум в образце, представляющем собой тонкую чешуйку NbSe, уложенную на предварительно реализованные золотые электроды и покрытую тонкой чешуйкой hBN. В дробовом шуме туннельного перехода NbSe/Au мы идентифицируем режим андеевского отражения, демонстрируя эффективное удвоение заряда. Создавая градиент температуры на туннельном переходе и измеряя его дельта- шум в нормальном состоянии, мы извлекаем длину электрон-фононного рассеяния в NbSe и ее зависимость от температуры. Результаты измерений дельта- шума в отсутствие магнитного поля, когда чешуйка находится в сверхпроводящем состоянии, качественно согласуются с ожиданиями. Предложенный подход является перспективным для изучения неравновесных конфигураций в сверхпроводниках.
Индексирование
Scopus
Crossref
Высшая аттестационная комиссия
При Министерстве образования и науки Российской Федерации