Статьи автора

Термостабильный сегнетоэлектрик HfO : AlO (10:1) в SOI и SOS гетероструктурах после RTA обработок и утончения кремния окислением

Номер выпуска 11-12 от 03.05.2025

Обнаруженная ранее в 10–20 нм скрытом сегнетоэлектрическом слое HfO:AlO (10:1) структур кремний-на-изоляторе и кремний-на-сапфире орторомбическая фаза Pmn2 после отжигов при T > 950 ◦C 1 ч отсутствует после ступенчатых быстрых 30 с термообработок по данным малоугловой рентгеновской дифракции (GIXRD). Вместо нее формируются стабильные до 1000 ◦C напряженные текстурированные сегнетоэлектрические слои с ориентацией {111} для подложек кремния и {002} для сапфира соответственно в ромбоэдрической rR3 или орторомбической Pca2 фазах, неразличимых по GIXRD дифрактограммам. В пользу ромбоэдрической фазы rR3 свидетельствует большая остаточная поляризация в кремний-на-изоляторе структурах.

33 0