Статьи автора

Полупроводниковый дисковый лазер на гетероструктуре GanP/AlGanP с внутрирезонаторной накачкой в квантовые ямы

Номер выпуска 3-4 от 17.07.2025

Исследован впервые реализованный импульсный полупроводниковый дисковый лазер на гетероструктуре GaInP/AlGaInP с 25 квантовыми ямами, излучающий на длине волны 642.5 нм при внутрирезонаторной накачке в квантовые ямы излучением лазера на красителе с длиной волны 614.5 нм. Достигнута импульсная мощность ∼ 80 Вт при длительности импульса ∼ 0.5 мкс. Мощность ограничивается процессом разрушения структуры. Обнаружена временная модуляция излучения лазера на красителе с гетероструктурой внутри резонатора с периодом ∼ 6 нс, не равным времени обхода резонатора.

31 0