Статьи автора

Метаморфные гетероструктуры с квантовыми точками InAs/InGaAs для генерации одиночных фотонов в спектральном С-диапазоне

Номер выпуска 1-2 от 16.09.2025

В работе приведены результаты исследований по выращиванию методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур с квантовыми точками InAs/InGaAs и метаморфными буферными слоями (МБС) InxGa1−xAs/GaAs(001), предназначенных для получения однофотонной генерации в телекоммуникационном С-диапазоне длин волн. Проанализирована возможность уменьшения толщины градиентного слоя InxGa1−xAs с целью формирования эффективных микрорезонаторных структур с толщиной резонаторной полости вплоть до двух длин волн. Приведены данные характеризации методами просвечивающей электронной микроскопии в геометрии поперечного сечения и спектроскопии фотолюминесценции структур с метаморфными буферными слоями, выращенных на поверхности распределенного брэгговского отражателя Al0.9Ga0.1As/GaAs.

19 0